一、日本 Apollowave VS-100真空腔體半自動探針臺 產品基礎信息
| 項目 | 詳情 |
|---|---|
| 品牌型號 | Apollowave VS-100 真空腔體半自動探針臺 |
| 核心結構 | 不銹鋼密封耐壓真空腔體，搭配分子泵機組實現高真空，常壓/真空雙模式切換 |
| 晶圓承載 | 最大適配4英寸圓形晶圓、方形基板、各類小片裸芯片 |
| 運動系統 | 真空腔內內置三軸微米級電動位移平臺，軟件自動陣列步進定位 |
| 核心應用 | 光電子、GaN寬禁帶、MEMS、二維材料芯片高真空無氧化半自動探針研發測試 |
二、核心規格參數
| 參數項 | 標準規格 |
|---|---|
| 真空能力 | 密封不銹鋼腔體，可搭配分子泵機組達到高真空，支持常壓、真空兩種測試工況 |
| 載片機構 | 真空吸附陶瓷載片臺，可集成真空專用高低溫冷熱溫控卡盤 |
| 觀測系統 | 真空側同軸光學鏡+真空耐壓密封CCD窗口，腔外實時顯微成像對位 |
| 信號傳輸 | 標準化真空射頻、直流饋通組件，隔絕壓差，保障真空腔內信號無損輸出 |
| 操作流程 | 半自動模式：人工腔外上下片封腔抽真空，軟件全自動逐點陣列探針測試 |
| 探針適配 | 真空專用GSG射頻微波探針、多通道真空直流探針通用匹配 |
| 控制邏輯 | 工業觸控一體機，圖形化點位編程，真空度聯鎖安全保護程序 |
| 拓展配置 | 分子泵真空機組、真空高低溫卡盤、自動真空探針清潔機構可選加裝 |
| 適用工況 | 科研實驗室間歇式真空環境新工藝、氣體敏感器件批量抽檢驗證 |
三、產品核心性能優勢
1. 集成密封高真空腔體，隔絕水汽氧氣，芯片無氧化原生性能測試
常規大氣探針臺測試GaN、光電裸片時，芯片表面極易接觸空氣氧化、吸附雜質，導致電學參數失真；VS-100整機自帶耐壓真空腔，搭配分子泵抽至高真空，器件全程隔絕大氣，可測量芯片真實原生電學、射頻特性，匹配真空薄膜、真空封裝工藝研發需求。
2. 腔內內置三軸電動半自動平臺，減少頻繁破真空抽氣損耗
位移電機、晶圓載臺全部布置在真空腔體內部，僅更換樣品時需要釋放真空、重新抽氣；同一批次晶圓陣列可全自動連續步進測試，無需每顆芯片開腔手動平移，大幅縮短單批次測試時長，降低分子泵頻繁啟停損耗。
3. 真空密封光學觀測窗口，腔外無接觸清晰觀測微小焊盤
腔體側壁采用真空耐壓光學密封視窗，搭配同軸落射光學與外置CCD顯示器，操作人員無需打開真空腔體，即可實時放大觀察微米級器件電極，精準調節真空探針扎針高度與壓力，避免反復破真空對位。
4. 專用真空饋通信號接口，真空環境射頻、直流信號無衰減泄露
區別普通大氣探針臺線纜直出，設備采用真空專用射頻、直流饋通組件，隔絕腔內外氣壓差，同時屏蔽高頻信號泄露，真空環境下S參數、IV曲線采集穩定無噪聲干擾，保障精密射頻與直流測試精度。
5. 真空/常壓雙工況兼容，一臺設備覆蓋通用與真空器件研發
真空腔體可快速開啟，當作普通大氣半自動探針臺測試常規分立器件、普通晶圓；密封抽真空后用于氣體敏感、易氧化芯片實驗，實驗室無需分開采購兩套探針測試設備，節約采購預算與機房占地面積。
6. 可拓展真空高低溫模塊，實現真空冷熱耦合可靠性驗證
載片臺可加裝真空專用半導體制冷加熱卡盤，在高真空環境完成寬溫區間器件溫變電學測試，模擬宇航器件、真空功率器件、真空光電器件真實服役溫度環境，可靠性實驗數據貼合實際應用。
7. 真空度聯鎖安全控制系統，杜絕誤操作損壞腔內精密組件
整機觸控系統內置真空閾值聯鎖邏輯，腔體真空度未達到設定標準時，自動鎖定三軸運動平臺與探針下壓機構；開蓋瞬間立刻停止所有自動運動，防止真空壓差沖擊、探針猛烈撞擊晶圓，提升真空設備長期運行安全性。
四、日本 Apollowave VS-100真空腔體半自動探針臺 適用行業與應用場景
光電子芯片研發實驗室：InP、GaAs激光器、紅外光電探測器裸片高真空無氧化射頻直流特性測試
寬禁帶半導體研發工位：GaN、氧化鎵、ZnO功率芯片真空原生IV、擊穿電壓、射頻性能摸底
MEMS微機電科研平臺：真空諧振、壓力MEMS器件電學-力學耦合探針測試實驗
二維材料科研實驗室：石墨烯、二維半導體薄片無吸附雜質真空輸運特性測量
宇航器件研發部門：太空真空封裝光電器件、功率器件高低溫真空可靠性驗證
高校真空微電子教學實驗室：真空薄膜工藝、氣體敏感半導體器件教學驗證實驗
